东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦
- 发表时间:2019-11-07
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通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。
其他功能包括:在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外,还有UVLO[3]检测,将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。
应用:
·IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动)
·交流电机和直流无刷电机控制
·工业逆变器与不间断电源(UPS)
·光伏(PV)电源调节系统
特性:
·内置有源时序控制的双输出,适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。
·当检测到过流时,通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。
·当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时,故障信号会输出到一次侧。
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